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所以，市上海富含Mn空位的尖晶石使Zn2+离子更容易扩散而没有太多的静电屏障，从而导致Zn2+离子迁移率更高，电极动力学更快。此外，电气电厂哈尔滨工业大学张乃庆教授课题组以碳酸锰为模板，通过引入低价铜原子的掺杂，在Mn2O3微球中成功引入氧空位（图6a）[10]。
经过密度泛函理论模拟计算，签署当在σ-MnO2晶格中产生氧空位时，签署Zn2+在σ-MnO2表面的吸附吉布斯自由能显著改变，这意味着解吸过程中能从氧空位σ-MnO2中解吸出更多的Zn2+，为下一次吸附更新电化学活性表面积（图1a-b）。尽管电化学储锌性能得到明显改善，战略但引入氧空位的方法较繁琐，战略为了简化引入氧缺陷的方法，该课题组还通过煅烧NaBH4产生H2来还原MnO2[6]，这种策略引入的氧缺陷同样能通过改变吉布斯吸附Zn2+离子的自由能来提高表面电容性能（图2）。
